КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиBSN20BKR

BSN20BKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23, NEXPERIA

Арт:
BSN20BKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BSN20BKR
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23 Технические параметры
    • Drain current: 0.17A
    • Drain-source voltage: 60V
    • Gate charge: 0.49нКл
    • Gate-source voltage: ±20В
    • Housing: SOT23
    • Kind of package: бобина
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 5.7Ω
    • Package: SOT23
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Transistor type: N-MOSFET
    • Мощность: 0.402W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 5.7Ω
    • Ток стока: 0.17A