Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23 Технические параметры
- Drain current: 0.17A
- Drain-source voltage: 60V
- Gate charge: 0.49нКл
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SOT23
- Kind of package: бобина
- Manufacturer: NEXPERIA
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 5.7Ω
- Package: SOT23
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N-MOSFET
- Мощность: 0.402W
- Сопротивление в открытом состоянии: 5.7Ω
- Ток стока: 0.17A