КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT30M19JVFR

APT30M19JVFR, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; Ugs: ±30В; 700Вт, MICROSEMI

Арт:
APT30M19JVFR, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; Ugs: ±30В; 700Вт, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT30M19JVFR
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; Ugs: ±30В; 700Вт
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; Ugs: ±30В; 700Вт Технические параметры
    • Drain current: 130A
    • Drain-source voltage: 300V
    • Electrical mounting: винтами
    • Gate-source voltage: ±30В
    • Housing: ISOTOP
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Max. forward impulse current: 520A
    • Modular: транзисторный
    • Module type: transistor
    • Mount: винтами
    • Mounting: screw
    • On-State Resistance: 19mΩ
    • Operating temperature: -55...150°C
    • Package: ISOTOP
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Semiconductor structure: одиночный транзистор
    • Technology: POWER MOS V®
    • Мощность: 700W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 19mΩ
    • Ток стока: 130A