DACMI200N1200, Модуль; одиночный транзистор; Uds:1,2кВ; Id:125А; SOT227B; 980Вт, DACO SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: DACMI200N1200
- Производитель: DACO SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Модуль; одиночный транзистор; Uds:1,2кВ; Id:125А; SOT227B; 980Вт
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Power: 980W
- Technology: SiC
- Drain current: 125A
- Operating temperature: -55...150°C
- Module type: transistor
- Polarisation: unipolar
- Electrical mounting: screw
- Gate-source voltage: -10...20V
- Drain-source voltage: 1.2kV
- Pulsed drain current: 500A
- Semiconductor structure: single transistor
- Mounting: screw
- Case: SOT227B
- On-State Resistance: 15mΩ