2SK3475(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; SMT; 14,9дБ, Toshiba
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: 2SK3475(TE12L,F)
- Производитель: Toshiba
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; SMT; 14,9дБ
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Power: 3W
- Frequency: 520MHz
- Efficiency: 45%
- Output power: 630mW
- Drain current: 1A
- Gain: 14.9dB
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Transistor kind: RF
- Transistor type: N-MOSFET
- Electrical mounting: SMT
- Gate-source voltage: ±10V
- Drain-source voltage: 20V
- Case: SOT89