КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIRLS3813TRLPBF

IRLS3813TRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 156А; 195Вт; D2PAK, Infineon

Арт:
IRLS3813TRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 156А; 195Вт; D2PAK, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IRLS3813TRLPBF
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 156А; 195Вт; D2PAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 156А; 195Вт; D2PAK Технические параметры
    • Case: D2PAK
    • Drain current: 156A
    • Drain-source voltage: 30V
    • Gate charge: 55нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: reel
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 1.95mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 195W
    • Technology: HEXFET®
    • Type of transistor: N-MOSFET