PD57060-E, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 65В; 7А; 79Вт; SO10RF; SMT; 14,3дБ, STM
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: PD57060-E
- Производитель: STM
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 65В; 7А; 79Вт; SO10RF; SMT; 14,3дБ
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 65В; 7А; 79Вт; SO10RF; SMT; 14,3дБ Технические параметры
- Case: SO10RF
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 7A
- Drain-source voltage: 65V
- Efficiency: 54%
- Electrical mounting: SMT
- Frequency: 945MHz
- Gain: 14.3dB
- Gate-source voltage: ±20V
- Kind of package: tube
- Manufacturer: STM
- Output power: 60W
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 79W
- Transistor kind: RF
- Type of transistor: N-MOSFET
Документация
tmpd57060-e.pdf