STD1HN60K3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,76А; 27Вт; DPAK, STM
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: STD1HN60K3
- Производитель: STM
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,76А; 27Вт; DPAK
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: SuperMesh™
- Drain current: 0.76A
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: 600V
- Features of semiconductor devices: ESD protected gate
- Mounting: SMD
- Case: DPAK
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 8000mΩ
- Power dissipation: 27W