КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиSTD10N60M2

STD10N60M2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,9А; 85Вт; DPAK, STM

Арт:
STD10N60M2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,9А; 85Вт; DPAK, STM
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: STD10N60M2
  • Производитель: STM
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,9А; 85Вт; DPAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,9А; 85Вт; DPAK Технические параметры
    • Case: DPAK
    • Drain current: 4.9A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate-source voltage: ±25V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: STM
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 600mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 85W
    • Technology: SuperMesh™
    • Type of transistor: N-MOSFET