КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиSIRA28BDP-T1-GE3

SIRA28BDP-T1-GE3, MOSFET N-Channel 30V SO-8, Vishay

Арт: 301-43-778
  • добавить в избранное
  • Арт: 301-43-778
  • Наименование: SIRA28BDP-T1-GE3
  • Производитель: Vishay
  • Доп.наименование: MOSFET N-Channel 30V SO-8
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    MOSFET N-Channel 30V SO-8 Технические параметры
    • Manufacturer: Vishay
    • MOSFET, Type: SiRA28BDP-T1-GE3, Continuous Drain Current (Id)=38 A, Drain-Source Voltage (Vds)=30 V, Fall Time=5 ns, Gate-Source Voltage=20 V,
    BC Сomponents
    BC Сomponents

    Компания BC Сomponents (Beyschlag Centralab), ведущий европейский изготовитель пассивных электронных компонентов, возникла при разделения компании P... Читать далее >