Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIXFN120N65X2

IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; Ugs: ±40В; 890Вт, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXFN120N65X2
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; Ugs: ±40В; 890Вт
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: X2-Class
    • Drain current: 108A
    • Reverse recovery time: 220ns
    • Gate charge: 240nC
    • Module type: transistor
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: bulk
    • Electrical mounting: screw
    • Gate-source voltage: ±40V
    • Drain-source voltage: 650V
    • Pulsed drain current: 240A
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Mounting: screw
    • Case: SOT227B
    • On-State Resistance: 24mΩ
    • Power dissipation: 890W