Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIXFN26N100P

IXFN26N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXFN26N100P
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: Polar™
    • Drain current: 23A
    • Reverse recovery time: 300ns
    • Gate charge: 197nC
    • Module type: transistor
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: bulk
    • Electrical mounting: screw
    • Gate-source voltage: ±40V
    • Drain-source voltage: 1kV
    • Pulsed drain current: 65A
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Mounting: screw
    • Case: SOT227B
    • On-State Resistance: 390mΩ
    • Power dissipation: 595W