КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIXFN300N10P

IXFN300N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; Ugs: ±30В; 279нC, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXFN300N10P
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; Ugs: ±30В; 279нC
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: Polar™
    • Drain current: 295A
    • Reverse recovery time: 200ns
    • Gate charge: 279nC
    • Module type: transistor
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: bulk
    • Electrical mounting: screw
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Drain-source voltage: 100V
    • Pulsed drain current: 900A
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Mounting: screw
    • Case: SOT227B
    • On-State Resistance: 5.5mΩ
    • Power dissipation: 1070W