КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIXA55I1200HJ

IXA55I1200HJ, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 54А; 290Вт; PLUS247™, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXA55I1200HJ
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 54А; 290Вт; PLUS247™
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 54А; 290Вт; PLUS247™ Технические параметры
    • Case: PLUS247™
    • Collector current: 54A
    • Collector-emitter voltage: 1.2kV
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Gate charge: 190нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: IXYS
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 290W
    • Pulsed collector current: 150A
    • Technology: XPT™
    • Turn-off time: 350ns
    • Turn-on time: 110ns
    • Type of transistor: IGBT