КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIXBA16N170AHV

IXBA16N170AHV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO263, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXBA16N170AHV
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO263
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO263 Технические параметры
    • Case: TO263
    • Collector current: 10A
    • Collector-emitter voltage: 1.7kV
    • Features of semiconductor devices: high voltage
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Gate charge: 65нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: IXYS
    • Mounting: SMD
    • Power dissipation: 150W
    • Pulsed collector current: 40A
    • Technology: BiMOSFET™
    • Turn-off time: 370ns
    • Turn-on time: 43ns
    • Type of transistor: IGBT