IXBF20N360, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3,6кВ; 20А; 230Вт; ISOPLUS i4-pac™, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXBF20N360
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3,6кВ; 20А; 230Вт; ISOPLUS i4-pac™
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3,6кВ; 20А; 230Вт; ISOPLUS i4-pac™ Технические параметры
- Case: ISOPLUS i4-pac™
- Collector current: 20A
- Collector-emitter voltage: 3.6kV
- Features of semiconductor devices: high voltage
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Gate charge: 110нКл
- Kind of package: tube
- Manufacturer: IXYS
- Mounting: THT
- Power dissipation: 230W
- Pulsed collector current: 220A
- Technology: BiMOSFET™
- Type of transistor: IGBT
Документация
tmixbf20n360.pdf