Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиUJ3C065080B3

UJ3C065080B3, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 18,2А, UNITEDSIC

Арт:
UJ3C065080B3, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 18,2А, UNITEDSIC
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: UJ3C065080B3
  • Производитель: UNITEDSIC
  • Доп.наименование: Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 18,2А
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: SiC
    • Drain current: 18.2A
    • Gate charge: 51nC
    • Polarisation: unipolar
    • Transistor kind: cascode
    • Gate-source voltage: ±25V
    • Drain-source voltage: 650V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Mounting: SMD
    • Case: D2PAK
    • Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
    • On-State Resistance: 80mΩ
    • Power dissipation: 115W