КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAOTF10B65M1

AOTF10B65M1, Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж, AOS

Арт:
AOTF10B65M1, Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж, AOS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AOTF10B65M1
  • Производитель: AOS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Collector current: 10A
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Collector-emitter saturation voltage: 1.6V
    • Gate charge: 24nC
    • Turn-on time: 28ns
    • Turn-off time: 131ns
    • Kind of package: tube
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Pulsed collector current: 30A
    • Turn-on switching energy: 0.18mJ
    • Turn-off switching energy: 0.13mJ
    • Mounting: THT
    • Case: TO220F
    • Type of transistor: IGBT
    • Power dissipation: 12W