КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIXA17IF1200HJ

IXA17IF1200HJ, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 18А; 100Вт; PLUS247™, IXYS

Арт: 302-53-262
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-53-262
  • Наименование: IXA17IF1200HJ
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 18А; 100Вт; PLUS247™
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 18А; 100Вт; PLUS247™ Технические параметры
    • Case: PLUS247™
    • Collector current: 18A
    • Collector-emitter voltage: 1.2kV
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Gate charge: 47нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: IXYS
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 100W
    • Pulsed collector current: 45A
    • Technology: XPT™
    • Turn-off time: 350ns
    • Turn-on time: 110ns
    • Type of transistor: IGBT