STB100NF04T4, Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 60В; 2,9А; Idm: 16А, STM
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: STB100NF04T4
- Производитель: STM
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 60В; 2,9А; Idm: 16А
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 60В; 2,9А; Idm: 16А Технические параметры
- Case: SOT223
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 2.9A
- Drain-source voltage: 60V
- Gate-source voltage: ±20V
- Manufacturer: STM
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 100mΩ
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 3.3W
- Pulsed drain current: 16A
- Technology: STripFET™ II
- Type of transistor: N-MOSFET
