FQP17P10, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -11,7А; 100Вт; TO220, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FQP17P10
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -11,7А; 100Вт; TO220
- Склад:
Технические параметры
- Drain current: -11.7A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: -100V
- Mounting: THT
- Case: TO220
- Type of transistor: P-MOSFET
- On-State Resistance: 190mΩ
- Power dissipation: 100W