FQT1N80TF-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 0,12А; 2,1Вт; SOT223, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FQT1N80TF-WS
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 0,12А; 2,1Вт; SOT223
- Склад:
Технические параметры
- Drain current: 0.12A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: 800V
- Mounting: SMD
- Case: SOT223
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 20Ω
- Power dissipation: 2.1W