NTJS3157NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 1Вт; SOT363, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: NTJS3157NT1G
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 1Вт; SOT363
- Склад:
Технические параметры
- Drain current: 2.3A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±8V
- Drain-source voltage: 20V
- Mounting: SMD
- Case: SOT363
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 60mΩ
- Power dissipation: 1W