IPB044N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM 5; полевой; 150В; 123А; Idm: 696А, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IPB044N15N5ATMA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM 5; полевой; 150В; 123А; Idm: 696А
- Склад:
Технические параметры
- Technology: OptiMOS™ 5
- Drain current: 123A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 150V
- Pulsed drain current: 696A
- Mounting: SMD
- Case: PG-TO263-7
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 4.4mΩ
- Power dissipation: 300W