Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM 5; полевой; 150В; 118А; Idm: 480А, Infineon

Арт:
IPB048N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM 5; полевой; 150В; 118А; Idm: 480А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPB048N15N5ATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM 5; полевой; 150В; 118А; Idm: 480А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: OptiMOS™ 5
    • Drain current: 118A
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 150V
    • Pulsed drain current: 480A
    • Mounting: SMD
    • Case: PG-TO 263-3
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 4.8mΩ
    • Power dissipation: 300W