Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А, Infineon

Арт:
IPB100N10S305ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPB100N10S305ATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: OptiMOS® -T
    • Drain current: 100A
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 100V
    • Pulsed drain current: 400A
    • Mounting: SMD
    • Case: PG-TO263-3-2
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 4.8mΩ
    • Power dissipation: 300W