IPB100N10S305ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IPB100N10S305ATMA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А
- Склад:
Технические параметры
- Technology: OptiMOS® -T
- Drain current: 100A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 100V
- Pulsed drain current: 400A
- Mounting: SMD
- Case: PG-TO263-3-2
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 4.8mΩ
- Power dissipation: 300W