Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А, Infineon

Арт:
IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPB180N06S4H1ATMA2
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: OptiMOS® -T2
    • Drain current: 180A
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 60V
    • Pulsed drain current: 720A
    • Mounting: SMD
    • Case: PG-TO263-7-3
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 1.7mΩ
    • Power dissipation: 250W