IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IPB180N06S4H1ATMA2
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А
- Склад:
Технические параметры
- Technology: OptiMOS® -T2
- Drain current: 180A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 60V
- Pulsed drain current: 720A
- Mounting: SMD
- Case: PG-TO263-7-3
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 1.7mΩ
- Power dissipation: 250W