IPD110N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM3; полевой; 120В; 54А; Idm: 300А, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IPD110N12N3GATMA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM3; полевой; 120В; 54А; Idm: 300А
- Склад:
Технические параметры
- Technology: OptiMOS™ 3
- Drain current: 54A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 120V
- Pulsed drain current: 300A
- Mounting: SMD
- Case: PG-TO252-3
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 11mΩ
- Power dissipation: 136W