Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM3; полевой; 120В; 54А; Idm: 300А, Infineon

Арт:
IPD110N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM3; полевой; 120В; 54А; Idm: 300А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPD110N12N3GATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOSTM3; полевой; 120В; 54А; Idm: 300А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: OptiMOS™ 3
    • Drain current: 54A
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 120V
    • Pulsed drain current: 300A
    • Mounting: SMD
    • Case: PG-TO252-3
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 11mΩ
    • Power dissipation: 136W