IPD50N06S4L08ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 47А; Idm: 200А, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IPD50N06S4L08ATMA2
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 47А; Idm: 200А
- Склад:
Технические параметры
- Technology: OptiMOS® -T2
- Drain current: 47A
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±16V
- Drain-source voltage: 60V
- Pulsed drain current: 200A
- Mounting: SMD
- Case: PG-TO252-3-11
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 7.8mΩ
- Power dissipation: 71W