Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIPB160N04S4LH1ATMA1

IPB160N04S4LH1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 160А; Idm: 640А, Infineon

Арт:
IPB160N04S4LH1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 160А; Idm: 640А, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPB160N04S4LH1ATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 160А; Idm: 640А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: OptiMOS™ T2
    • Drain current: 160A
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Gate-source voltage: -16...20V
    • Drain-source voltage: 40V
    • Pulsed drain current: 640A
    • Mounting: SMD
    • Case: PG-TO263-7-3
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 1.5mΩ
    • Power dissipation: 167W