Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиYJQ35G10A

YJQ35G10A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 120А; 54Вт, YANGJIE TECHNOLOGY

Арт:
YJQ35G10A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 120А; 54Вт, YANGJIE TECHNOLOGY
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: YJQ35G10A
  • Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 120А; 54Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Drain current: 35A
    • Gate charge: 20nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 100V
    • Pulsed drain current: 120A
    • Mounting: SMD
    • Case: DFN3.3x3.3
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 20mΩ
    • Power dissipation: 54W