Технические параметры
- Gate current: 10mA
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: -25V
- Mounting: SMD
- Case: SuperSOT-3
- Type of transistor: N-JFET
- On-State Resistance: 8Ω
- Power dissipation: 350mW
MMBFJ108, Транзистор: N-JFET; полевой; 350мВт; SuperSOT-3; 10мА, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: MMBFJ108
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-JFET; полевой; 350мВт; SuperSOT-3; 10мА
- Склад:
Технические параметры