КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиMMBFJ108

MMBFJ108, Транзистор: N-JFET; полевой; 350мВт; SuperSOT-3; 10мА, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
MMBFJ108, Транзистор: N-JFET; полевой; 350мВт; SuperSOT-3; 10мА, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: MMBFJ108
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-JFET; полевой; 350мВт; SuperSOT-3; 10мА
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-JFET; полевой; 350мВт; SuperSOT-3; 10мА Технические параметры
    • Case: SuperSOT-3
    • Gate current: 10mA
    • Gate-source voltage: -25V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 8Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 350mW
    • Type of transistor: N-JFET