Технические параметры
- Gate current: 10mA
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tape
- Gate-source voltage: -25V
- Drain-source voltage: 25V
- Mounting: SMD
- Case: SOT23
- Type of transistor: N-JFET
- Power dissipation: 225mW
MMBFU310LT1G, Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 225мВт; SOT23; 10мА, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: MMBFU310LT1G
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 225мВт; SOT23; 10мА
- Склад:
Технические параметры