Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIXFN130N90SK

IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXFN130N90SK
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: SiC
    • Drain current: 109A
    • Gate charge: 68nC
    • Module type: MOSFET transistor
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Electrical mounting: screw
    • Mechanical mounting: screw
    • Drain-source voltage: 900V
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
    • Case: SOT227B
    • On-State Resistance: 10mΩ