IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXFN130N90SK
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: SiC
- Drain current: 109A
- Gate charge: 68nC
- Module type: MOSFET transistor
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Electrical mounting: screw
- Mechanical mounting: screw
- Drain-source voltage: 900V
- Semiconductor structure: single transistor
- Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
- Case: SOT227B
- On-State Resistance: 10mΩ