КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиFQD6N25TM

FQD6N25TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 2,6А; Idm: 17,6А; 45Вт; DPAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQD6N25TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 2,6А; Idm: 17,6А; 45Вт; DPAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQD6N25TM
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 2,6А; Idm: 17,6А; 45Вт; DPAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 2,6А; Idm: 17,6А; 45Вт; DPAK Технические параметры
    • Case: DPAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 2.6A
    • Drain-source voltage: 250V
    • Gate charge: 8.5нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 1Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 45W
    • Pulsed drain current: 17.6A
    • Type of transistor: N-MOSFET