КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыFDN306P

FDN306P, MOSFET, Single - P-Channel, -12V, -2.6A, 500mW, SOT-23, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 302-30-857
FDN306P, MOSFET, Single - P-Channel, -12V, -2.6A, 500mW, SOT-23, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-30-857
  • Наименование: FDN306P
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: MOSFET, Single - P-Channel, -12V, -2.6A, 500mW, SOT-23
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    MOSFET, Single - P-Channel, -12V, -2.6A, 500mW, SOT-23 Технические параметры
    • Continuous Drain Current (Id): -2.6A
    • Drain-Source Voltage (Vds): -12V
    • Fall Time: 56ns
    • Gate-Source Voltage: 8V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • ON Resistance (Rds(on)): 80mΩ
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: SOT-23
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 500mW
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Rise Time: 20ns
    • Transistor Polarity: P-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 61ns
    • Turn-ON Delay Time: 20ns