КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыBSS123IXTSA1

BSS123IXTSA1, MOSFET, Single - N-Channel, 100V, 190mA, SOT-23, Infineon

Арт: 302-83-899
BSS123IXTSA1, MOSFET, Single - N-Channel, 100V, 190mA, SOT-23, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-83-899
  • Наименование: BSS123IXTSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: MOSFET, Single - N-Channel, 100V, 190mA, SOT-23
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    MOSFET, Single - N-Channel, 100V, 190mA, SOT-23 Технические параметры
    • Continuous Drain Current (Id): 190mA
    • Drain-Source Voltage (Vds): 100V
    • Fall Time: 22ns
    • Gate-Source Voltage: 20V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • ON Resistance (Rds(on)): 6Ω
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: SOT-23
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 500mW
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Rise Time: 3.2ns
    • Transistor Polarity: N-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 7.4ns
    • Turn-ON Delay Time: 2.3ns