КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыBSC060P03NS3EGATMA1

BSC060P03NS3EGATMA1, MOSFET, Single - P-Channel, 30V, 100A, SuperSO8, Infineon

Арт: 302-83-868
BSC060P03NS3EGATMA1, MOSFET, Single - P-Channel, 30V, 100A, SuperSO8, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-83-868
  • Наименование: BSC060P03NS3EGATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: MOSFET, Single - P-Channel, 30V, 100A, SuperSO8
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    MOSFET, Single - P-Channel, 30V, 100A, SuperSO8 Технические параметры
    • Contacts: 8
    • Continuous Drain Current (Id): 100A
    • Drain-Source Voltage (Vds): 30V
    • Fall Time: 34ns
    • Gate-Source Voltage: 25V
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • ON Resistance (Rds(on)): 6mΩ
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: SuperSO8
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 83W
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Rise Time: 139ns
    • Transistor Polarity: P-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 66ns
    • Turn-ON Delay Time: 15ns