КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыSSM6G18NU,LF

SSM6G18NU,LF, MOSFET Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112ohm a. 4.5V, in UDFN6 package, Toshiba

Арт: 757-SSM6G18NULF
SSM6G18NU,LF, MOSFET Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112ohm a. 4.5V, in UDFN6 package, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт: 757-SSM6G18NULF
  • Наименование: SSM6G18NU,LF
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: MOSFET Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112ohm a. 4.5V, in UDFN6 package
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    MOSFET Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112ohm a. 4.5V, in UDFN6 package Технические параметры
    • Manufacturer: Toshiba