КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыTK39J60W,S1VQ

TK39J60W,S1VQ, MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC, Toshiba

Арт: 757-TK39J60WS1VQ
TK39J60W,S1VQ, MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC, Toshiba
  • добавить в избранное
  • Арт: 757-TK39J60WS1VQ
  • Наименование: TK39J60W,S1VQ
  • Производитель: Toshiba
  • Доп.наименование: MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC Технические параметры
    • Manufacturer: Toshiba