КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIXTH6N120

IXTH6N120, N-канальный высоковольтный MOSFET в корпусе ТО-247AD, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXTH6N120
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: N-канальный высоковольтный MOSFET в корпусе ТО-247AD
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    N-канальный высоковольтный MOSFET в корпусе ТО-247AD Технические параметры
    • Case: TO247-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 6A
    • Drain-source voltage: 1.2kV
    • Features of semiconductor devices: standard power mosfet
    • Gate charge: 56нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: IXYS
    • Mounting: THT
    • Power dissipation: 300W
    • Reverse recovery time: 850ns
    • Type of transistor: N-MOSFET