КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIRFP4668PBF

IRFP4668PBF, Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 200В; 130А; 520Вт, INTERNATIONAL RECTIFIER

Арт: 171-02-388
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-02-388
  • Наименование: IRFP4668PBF
  • Производитель: INTERNATIONAL RECTIFIER
  • Доп.наименование: Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 200В; 130А; 520Вт
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 200В; 130А; 520Вт Семейство Силовые МОП-транзисторы, TO-247, IR Технические параметры
    • Continuous Drain Current (Id): 130A
    • Drain-Source Voltage (Vds): 200V
    • Fall Time: 74ns
    • Gate-Source Voltage: 30V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: INTERNATIONAL RECTIFIER
    • Mounting Type: Through Hole
    • ON Resistance (Rds(on)): 8mΩ
    • Operating Temperature Max.: 175°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: TO-247AC
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 520W
    • Rise Time: 105ns
    • Transistor Polarity: N-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 64ns
    • Turn-ON Delay Time: 41ns