КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIXTH96N20P

IXTH96N20P, MOSFET N, 200 V 96 A 600 W TO-247, IXYS

Арт: 171-11-064
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-11-064
  • Наименование: IXTH96N20P
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: MOSFET N, 200 V 96 A 600 W TO-247
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    MOSFET N, 200 V 96 A 600 W TO-247 Семейство N-канальные силовые полевые транзисторы Технические параметры
    • Continuous Drain Current (Id): 96A
    • Drain-Source Voltage (Vds): 200V
    • Fall Time: 30ns
    • Gate-Source Voltage: 20V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: IXYS
    • Mounting Type: Through Hole
    • ON Resistance (Rds(on)): 24mΩ
    • Operating Temperature Max.: 175°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: TO-247
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 600W
    • Rise Time: 30ns
    • Transistor Polarity: N-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 75ns
    • Turn-ON Delay Time: 28ns