КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыBSS123LT1G

BSS123LT1G, Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 100В; 170мА; 225мВт; SOT23, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
BSS123LT1G, Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 100В; 170мА; 225мВт; SOT23, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BSS123LT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 100В; 170мА; 225мВт; SOT23
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 100В; 170мА; 225мВт; SOT23 Технические параметры
    • Case: SOT23
    • Drain current: 170mA
    • Drain-source voltage: 100V
    • Housing: SOT23
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 6Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Transistor kind: logic level
    • Transistor type: МОП n-канальный
    • Мощность: 225mW
    • Сопротивление в открытом состоянии: 6Ω
    • Ток стока: 170mA