КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторыIRFI640GPBF

IRFI640GPBF, Транзистор: N-MOSFET, Vishay

Арт: 301-91-576
  • добавить в избранное
  • Арт: 301-91-576
  • Наименование: IRFI640GPBF
  • Производитель: Vishay
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET Семейство Силовые MOП-транзисторы Технические параметры
    • Continuous Drain Current (Id): 6.2A
    • Drain-Source Voltage (Vds): 200V
    • Fall Time: 36ns
    • Gate-Source Voltage: 20V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: Vishay
    • Mounting Type: Through Hole
    • ON Resistance (Rds(on)): 180mΩ
    • Operating Temperature Max.: 175°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: TO-220FP
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 40W
    • Rise Time: 51ns
    • Transistor Polarity: N-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 45ns
    • Turn-ON Delay Time: 14ns
    • Type of transistor: N-MOSFET
    BC Сomponents

    Компания BC Сomponents (Beyschlag Centralab), ведущий европейский изготовитель пассивных электронных компонентов, возникла при разделения компании Philips в январе 1999. С 2002 года BC Сomponents входит в состав компании Vishay. Прежний портфель и... Читать далее >