КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторы IGBTSTGF10NC60KD

STGF10NC60KD, IGBT, 600V, 9A, TO-220FP, STM

Арт: 301-70-665
STGF10NC60KD, IGBT, 600V, 9A, TO-220FP, STM
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    IGBT, 600V, 9A, TO-220FP Технические параметры
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 2.5V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 600V
    • Continuous Collector Current (Ic): 9A
    • Emitter Leakage Current: 100nA
    • Gate Emitter Voltage (Vge): 20V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: STM
    • Mounting Type: Through Hole
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: TO-220FP
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 25W