КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторы IGBTSTGE200NB60S

STGE200NB60S, Модуль: IGBT; 600В; 150А; 600Вт; ISOTOP; на провод, STM

Арт: 301-70-664
STGE200NB60S, Модуль: IGBT; 600В; 150А; 600Вт; ISOTOP; на провод, STM
  • добавить в избранное
  • Арт: 301-70-664
  • Наименование: STGE200NB60S
  • Производитель: STM
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; 600В; 150А; 600Вт; ISOTOP; на провод
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: IGBT; 600В; 150А; 600Вт; ISOTOP; на провод Технические параметры
    • Case: ISOTOP
    • Collector current: 150A
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 1.6V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 600V
    • Continuous Collector Current (Ic): 200A
    • Electrical mounting: screwed
    • Emitter Leakage Current: 100nA
    • Gate - emitter voltage: 20V
    • Gate Emitter Voltage (Vge): 20V
    • Height Units: 4
    • Housing: ISOTOP
    • Manufacturer: STM
    • Max. forward impulse current: 400A
    • Module type: IGBT
    • Mount: THT
    • Mounting: screwed
    • Off state voltage max.: 600V
    • Operating temperature: -55...150°C
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: ISOTOP
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 600W
    • Termination Type: Screw
    • Topology: single transistor
    • Transistor type: IGBT
    • Мощность: 600W
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 600V