КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторы IGBTBSP76 E6433

BSP76 E6433, Power FET SOT-223 N 42 V 1.8 A, Infineon

Арт: 171-01-432
BSP76 E6433, Power FET SOT-223 N 42 V 1.8 A, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-01-432
  • Наименование: BSP76 E6433
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Power FET SOT-223 N 42 V 1.8 A
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Power FET SOT-223 N 42 V 1.8 A Семейство Интеллектуальные мощные МОП транзисторы фирмы Siemens, сторона низкого напряжения Технические параметры
    • Continuous Drain Current (Id): 1.4A
    • Drain-Source Voltage (Vds): 42V
    • Height Units: 4
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • ON Resistance (Rds(on)): 200mΩ
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: SOT-223
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 3.8W
    • Transistor Polarity: N-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 60µs
    • Turn-ON Delay Time: 45µs