Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторы IGBTVNB35N07

VNB35N07, Power FET D2PAK N 70 V 35 A, STM

Арт: 173-79-679
VNB35N07, Power FET D2PAK N 70 V 35 A, STM
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • MOSFET, Type: VNB35N07, Continuous Drain Current (Id)=35 A, Drain-Source Voltage (Vds)=70 V, Fall Time=4.3 µs, ON Resistance (Rds(on))=2