КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные полевые транзисторыМощные полевые транзисторы IGBTBSP75N

BSP75N, Power FET SOT-223 N 60 V 0.7 A, Infineon

Арт: 171-01-538
BSP75N, Power FET SOT-223 N 60 V 0.7 A, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-01-538
  • Наименование: BSP75N
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Power FET SOT-223 N 60 V 0.7 A
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Power FET SOT-223 N 60 V 0.7 A Семейство Интеллектуальные мощные МОП транзисторы фирмы Siemens, сторона низкого напряжения Технические параметры
    • Manufacturer: Infineon
    • Привод: логический уровень
    • Варианты: Режим усиления
    • Ток стока: 0.7 А
    • Полярность: N
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Рабочая температура: -40...+150 °C
    • Сопротивление включения: 0.49 Ω
    • Питающее напряжение стока: 60 В
    • Рабочая температура, мин.: -40 °C
    • Рабочая температура, макс.: +150 °C
    • Рассеяние мощности: 1.8 Вт