Технические параметры
- Корпус: SEMITRANS3
- Монтаж: винтами
- топология: тормозной транзистор
- Тип модуля: IGBT
- Ток коллектора: 186А
- Рабочая температура: -40...125°C
- Импульсный ток: 414А
- Конструкция диода: диод/транзистор
- Электрический монтаж: винтами
- Обратное напряжение макс.: 1.2кВ
- Напряжение затвор - эмиттер: ±20В